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IS42S16160G-7BLI-TR

IS42S16160G-7BLI-TR IS42S16160G-7BLI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS42S16160G-7BLI-TR
PNEDA Part # IS42S16160G-7BLI-TR
Descrizione IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 22.668
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS42S16160G-7BLI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS42S16160G-7BLI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS42S16160G-7BLI-TR, IS42S16160G-7BLI-TR Datasheet (Totale pagine: 63, Dimensioni: 1.162,78 KB)
PDFIS45S16160G-7CTLA2 Datasheet Copertura
IS45S16160G-7CTLA2 Datasheet Pagina 2 IS45S16160G-7CTLA2 Datasheet Pagina 3 IS45S16160G-7CTLA2 Datasheet Pagina 4 IS45S16160G-7CTLA2 Datasheet Pagina 5 IS45S16160G-7CTLA2 Datasheet Pagina 6 IS45S16160G-7CTLA2 Datasheet Pagina 7 IS45S16160G-7CTLA2 Datasheet Pagina 8 IS45S16160G-7CTLA2 Datasheet Pagina 9 IS45S16160G-7CTLA2 Datasheet Pagina 10 IS45S16160G-7CTLA2 Datasheet Pagina 11

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  • IS42S16160G-7BLI-TR Distributor

IS42S16160G-7BLI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM
Dimensione della memoria256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso5.4ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore54-TFBGA (8x8)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY7C1049GN30-10VXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

36-SOJ

MT46H16M32LFCM-6 L IT:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (10x13)

IS64WV2568EDBLL-10CTLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Tb (512G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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