DMC2041UFDB-7
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| Numero parte | DMC2041UFDB-7 |
| PNEDA Part # | DMC2041UFDB-7 |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.556 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 30 - giu 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMC2041UFDB-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMC2041UFDB-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMC2041UFDB-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.7A, 3.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 713pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.4W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-UDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type B) |
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Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 10V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 256pF @ 15V Potenza - Max 485mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore DFN2020D-6 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 10V Potenza - Max 6.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SC-70-6 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2940pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
