JANTXV2N7334
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| Numero parte | JANTXV2N7334 |
| PNEDA Part # | JANTXV2N7334 |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.796 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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JANTXV2N7334 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTXV2N7334 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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JANTXV2N7334 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/597 |
| Tipo FET | 4 N-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 600mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.4W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MO-036AB |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5448pF @ 25V Potenza - Max 208W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
