JANTXV2N7334
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| Numero parte | JANTXV2N7334 |
| PNEDA Part # | JANTXV2N7334 |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.796 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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JANTXV2N7334 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTXV2N7334 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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JANTXV2N7334 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/597 |
| Tipo FET | 4 N-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 600mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.4W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MO-036AB |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 250mA, 880mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V Potenza - Max 270mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 12A, 10V, 37mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 4.5V, 11.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 15V, 1100pF @ 15V Potenza - Max 25W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-4L |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
