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NTHD4102PT1G

NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G

Solo per riferimento

Numero parte NTHD4102PT1G
PNEDA Part # NTHD4102PT1G
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 730.854
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 29 - ago 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTHD4102PT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTHD4102PT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTHD4102PT1G, NTHD4102PT1G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 119,59 KB)
PDFNTHD4102PT3G Datasheet Copertura
NTHD4102PT3G Datasheet Pagina 2 NTHD4102PT3G Datasheet Pagina 3 NTHD4102PT3G Datasheet Pagina 4 NTHD4102PT3G Datasheet Pagina 5

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NTHD4102PT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds750pF @ 16V
Potenza - Max1.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreChipFET™

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.1nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1880pF @ 10V

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.15W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

FDS6984AS

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A, 8.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A, 5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1932pF @ 15V

Potenza - Max

1.19W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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