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PMDPB28UN,115

PMDPB28UN,115

Solo per riferimento

Numero parte PMDPB28UN,115
PNEDA Part # PMDPB28UN-115
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.716
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMDPB28UN Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMDPB28UN,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
PMDPB28UN, PMDPB28UN Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 965,07 KB)
PDFPMDPB28UN Datasheet Copertura
PMDPB28UN Datasheet Pagina 2 PMDPB28UN Datasheet Pagina 3 PMDPB28UN Datasheet Pagina 4 PMDPB28UN Datasheet Pagina 5 PMDPB28UN Datasheet Pagina 6 PMDPB28UN Datasheet Pagina 7 PMDPB28UN Datasheet Pagina 8 PMDPB28UN Datasheet Pagina 9 PMDPB28UN Datasheet Pagina 10 PMDPB28UN Datasheet Pagina 11

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PMDPB28UN Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds265pF @ 10V
Potenza - Max510mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN2020-6

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V

Potenza - Max

48W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

748nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

20600pF @ 25V

Potenza - Max

1250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

245pF @ 10V, 218pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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IRF9910

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A, 12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Potenza - Max

2W

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