HIP2123FRTBZ-T Datasheet
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Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 8V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 1.4V, 2.2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2A, 2A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Tempo di salita / discesa (tipico) 10ns, 10ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 9-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 9-TDFN (4x4) |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 8V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 1.4V, 2.2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2A, 2A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Tempo di salita / discesa (tipico) 10ns, 10ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 9-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 9-TDFN (4x4) |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 8V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 1.4V, 2.2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2A, 2A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Tempo di salita / discesa (tipico) 10ns, 10ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 10-TDFN (4x4) |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 8V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 1.4V, 2.2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2A, 2A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Tempo di salita / discesa (tipico) 10ns, 10ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 10-TDFN (4x4) |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 8V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 1.4V, 2.2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2A, 2A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Tempo di salita / discesa (tipico) 10ns, 10ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 9-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 9-TDFN (4x4) |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 8V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 3.7V, 7.93V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2A, 2A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Tempo di salita / discesa (tipico) 10ns, 10ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 9-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 9-TDFN (4x4) |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 8V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 3.7V, 7.93V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2A, 2A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Tempo di salita / discesa (tipico) 10ns, 10ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 10-TDFN (4x4) |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 8V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 3.7V, 7.93V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2A, 2A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Tempo di salita / discesa (tipico) 10ns, 10ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 10-TDFN (4x4) |
