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HIP2123FRTAZ-T

HIP2123FRTAZ-T

Solo per riferimento

Numero parte HIP2123FRTAZ-T
PNEDA Part # HIP2123FRTAZ-T
Descrizione IC HALF BRIDGE FET DRIVER 10TDFN
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.922
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 5 - giu 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HIP2123FRTAZ-T Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHIP2123FRTAZ-T
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
HIP2123FRTAZ-T, HIP2123FRTAZ-T Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 786,13 KB)
PDFHIP2123FRTBZ-T Datasheet Copertura
HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 2 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 3 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 4 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 5 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 6 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 7 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 8 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 9 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 10 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 11

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  • HIP2123FRTAZ-T Distributor

HIP2123FRTAZ-T Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione8V ~ 14V
Tensione logica - VIL, VIH1.4V, 2.2V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)2A, 2A
Tipo di ingressoInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)114V
Tempo di salita / discesa (tipico)10ns, 10ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia10-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore10-TDFN (4x4)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

30ns, 30ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

LM5109BQNGTRQ1

Texas Instruments

Produttore

Serie

Automotive, AEC-Q100

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1A, 1A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

108V

Tempo di salita / discesa (tipico)

15ns, 15ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (4x4)

LTC4444IMS8E#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

Produttore

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

7.2V ~ 13.5V

Tensione logica - VIL, VIH

1.85V, 3.25V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.5A, 3A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Tempo di salita / discesa (tipico)

8ns, 5ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP-EP

ISL6612ECB-T

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10.8V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.25A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

26ns, 18ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

1EDN7511BXUSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EiceDriver™

Configurazione guidata

Half-Bridge, Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

1.2V, 1.9V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 8A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

6.5ns, 4.5ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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