HIP2123FRTBZ-T
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| Numero parte | HIP2123FRTBZ-T |
| PNEDA Part # | HIP2123FRTBZ-T |
| Descrizione | IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN |
| Produttore | Renesas Electronics America Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.508 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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HIP2123FRTBZ-T Risorse
| Brand | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HIP2123FRTBZ-T |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
HIP2123FRTBZ-T, HIP2123FRTBZ-T Datasheet
(Totale pagine: 16, Dimensioni: 786,13 KB)
  
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HIP2123FRTBZ-T Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 8V ~ 14V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 1.4V, 2.2V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 2A, 2A |
| Tipo di ingresso | Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 114V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 10ns, 10ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 9-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 9-TDFN (4x4) |
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Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 7V ~ 13.2V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.25A, 2A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Tempo di salita / discesa (tipico) 26ns, 18ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 10-DFN (3x3) |
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