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HIP2122FRTAZ-T

HIP2122FRTAZ-T

Solo per riferimento

Numero parte HIP2122FRTAZ-T
PNEDA Part # HIP2122FRTAZ-T
Descrizione IC HALF BRIDGE FET DRIVER 10TDFN
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.586
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HIP2122FRTAZ-T Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHIP2122FRTAZ-T
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
HIP2122FRTAZ-T, HIP2122FRTAZ-T Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 786,13 KB)
PDFHIP2123FRTBZ-T Datasheet Copertura
HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 2 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 3 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 4 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 5 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 6 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 7 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 8 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 9 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 10 HIP2123FRTBZ-T Datasheet Pagina 11

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  • HIP2122FRTAZ-T Distributor

HIP2122FRTAZ-T Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione8V ~ 14V
Tensione logica - VIL, VIH3.7V, 7.93V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)2A, 2A
Tipo di ingressoInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)114V
Tempo di salita / discesa (tipico)10ns, 10ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia10-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore10-TDFN (4x4)

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

7.5ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

STSR3CD

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4V ~ 5.5V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 3.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

40ns, 30ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

10ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

IR2181

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.7V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.9A, 2.3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

40ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

1EBN1001AEXUMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q100, EiceDriver™

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

13V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

1.5V, 3.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Tempo di salita / discesa (tipico)

50ns, 90ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-DSO-14-43

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