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TC6321T-V/9U

TC6321T-V/9U

Solo per riferimento

Numero parte TC6321T-V/9U
PNEDA Part # TC6321T-V-9U
Descrizione MOSFET N/P-CH 200V 2A 8VDFN
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.272
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TC6321T-V/9U Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTC6321T-V/9U
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
TC6321T-V/9U, TC6321T-V/9U Datasheet (Totale pagine: 26, Dimensioni: 418,5 KB)
PDFTC6321T-V/9U Datasheet Copertura
TC6321T-V/9U Datasheet Pagina 2 TC6321T-V/9U Datasheet Pagina 3 TC6321T-V/9U Datasheet Pagina 4 TC6321T-V/9U Datasheet Pagina 5 TC6321T-V/9U Datasheet Pagina 6 TC6321T-V/9U Datasheet Pagina 7 TC6321T-V/9U Datasheet Pagina 8 TC6321T-V/9U Datasheet Pagina 9 TC6321T-V/9U Datasheet Pagina 10 TC6321T-V/9U Datasheet Pagina 11

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TC6321T-V/9U Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7Ohm @ 1A, 10V, 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds110pF @ 25V, 200pF @ 25V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-VDFN (6x5)

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

125mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.35nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18.5pF @ 5V

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

SP8M7TB

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

IRF7328TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2675pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

EMH2314-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 6V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-EMH

STS5DP3LLH6

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ H6

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

639pF @ 25V

Potenza - Max

2.7W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Venduto di recente

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UES1302

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PTC RESET FUSE 13.2V 500MA 1210

4608X-101-332LF

4608X-101-332LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 3.3K OHM 8SIP

CMSH1-40 TR13

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DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB