SQJQ906E-T1_GE3
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Numero parte | SQJQ906E-T1_GE3 |
PNEDA Part # | SQJQ906E-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8 |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 20.478 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SQJQ906E-T1_GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SQJQ906E-T1_GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
SQJQ906E-T1_GE3, SQJQ906E-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 185,9 KB)
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SQJQ906E-T1_GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Standard |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 95A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 20V |
Potenza - Max | 50W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
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