Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
SI7909DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 700µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual	Disponibile3.508
SI7911DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual	Disponibile3.600
SI7911DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual	Disponibile2.484
SI7913DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual	Disponibile6.372
SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual	Disponibile6.606
SI7922DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual	Disponibile5.796
SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual	Disponibile1.067.238
SI7923DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual	Disponibile4.860
SI7923DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual	Disponibile7.794
SI7925DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual	Disponibile8.010
SI7925DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Dual	Disponibile8.820
SI7938DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V Potenza - Max: 46W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile264.246
SI7940DP-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile7.254
SI7940DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile5.940
SI7942DP-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile3.508
SI7942DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile7.488
SI7945DP-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile6.660
SI7945DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile2.160
SI7946ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 7.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 75V Potenza - Max: 19.8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile6.156
SI7946DP-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile6.714
SI7946DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile8.748
SI7948DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile7.308
SI7949DP-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile86.826
SI7949DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile29.952
SI7956DP-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile8.136
SI7956DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile101.004
SI7958DP-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile7.614
SI7958DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile3.546
SI7960DP-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile3.562
SI7960DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® SO-8 Dual	Disponibile2.520

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