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SI7923DN-T1-E3

SI7923DN-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI7923DN-T1-E3
PNEDA Part # SI7923DN-T1-E3
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.860
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI7923DN-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI7923DN-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI7923DN-T1-E3, SI7923DN-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 540,02 KB)
PDFSI7923DN-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI7923DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI7923DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI7923DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI7923DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI7923DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI7923DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI7923DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI7923DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 9 SI7923DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 10 SI7923DN-T1-GE3 Datasheet Pagina 11

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SI7923DN-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs47mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.3W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® 1212-8 Dual

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2480pF @ 25V

Potenza - Max

64W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A, 40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 4.38mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5180pF @ 10V

Potenza - Max

1.7W, 2.5W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1030pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.8A, 6.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1149pF @ 10V

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Nexperia USA Inc.

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

400mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

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