SI7940DP-T1-GE3
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Numero parte | SI7940DP-T1-GE3 |
PNEDA Part # | SI7940DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.940 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI7940DP-T1-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SI7940DP-T1-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
SI7940DP-T1-GE3, SI7940DP-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 300,19 KB)
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SI7940DP-T1-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.4W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
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