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Transistor

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Disponibile
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SI1555DL-T1-E3
SI1555DL-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V/8V SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V, 8V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 660mA, 570mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 270mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile3.654
SI1557DH-T1-E3
SI1557DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.2A, 770mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 470mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile2.124
SI1563DH-T1-E3
SI1563DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.13A, 880mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.13A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 570mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile4.572
SI1563DH-T1-GE3
SI1563DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.13A, 880mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.13A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 570mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile3.492
SI1563EDH-T1-E3
SI1563EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.13A, 880mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.13A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 570mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile6.588
SI1563EDH-T1-GE3
SI1563EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: N and P-Channel
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.13A, 880mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.13A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 570mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile5.958
SI1900DL-T1-E3
SI1900DL-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 590mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 270mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile280.164
SI1900DL-T1-GE3
SI1900DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 630mA (Ta), 590mA (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 300mW, 270mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6
Disponibile3.834
SI1902CDL-T1-GE3
SI1902CDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
  • Potenza - Max: 420mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile3.888
SI1902DL-T1-E3
SI1902DL-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 660mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 270mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile5.904
SI1902DL-T1-GE3
SI1902DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 660mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 270mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile111.750
SI1903DL-T1-E3
SI1903DL-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 410mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 995mOhm @ 410mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 270mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile4.212
SI1903DL-T1-GE3
SI1903DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 410mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 995mOhm @ 410mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 270mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile7.920
SI1905BDH-T1-E3
SI1905BDH-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 8V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 630mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 542mOhm @ 580mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 4V
  • Potenza - Max: 357mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile5.364
SI1905DL-T1-E3
SI1905DL-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 8V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 570mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 570mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 270mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile4.014
SI1912EDH-T1-E3
SI1912EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.13A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.13A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 100µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 570mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile2.628
SI1913DH-T1-E3
SI1913DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 880mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 880mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 570mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile3.526
SI1913EDH-T1-E3
SI1913EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 880mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 880mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 570mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile5.004
SI1917EDH-T1-E3
SI1917EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 100µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 570mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile5.868
SI1922EDH-T1-GE3
SI1922EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.25W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile264.168
SI1926DL-T1-E3
SI1926DL-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 370mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
  • Potenza - Max: 510mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile240.396
SI1926DL-T1-GE3
SI1926DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 370mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
  • Potenza - Max: 510mW
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile6.858
SI1958DH-T1-E3
SI1958DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 105pF @ 10V
  • Potenza - Max: 1.25W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile4.788
SI1965DH-T1-E3
SI1965DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
  • Potenza - Max: 1.25W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile6.210
SI1965DH-T1-GE3
SI1965DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
  • Potenza - Max: 1.25W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile46.872
SI1967DH-T1-E3
SI1967DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
  • Potenza - Max: 1.25W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile7.848
SI1967DH-T1-GE3
SI1967DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
  • Potenza - Max: 1.25W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile142.050
SI1970DH-T1-E3
SI1970DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 95pF @ 15V
  • Potenza - Max: 1.25W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile5.022
SI1970DH-T1-GE3
SI1970DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 95pF @ 15V
  • Potenza - Max: 1.25W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile8.262
SI1972DH-T1-E3
SI1972DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1.3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 15V
  • Potenza - Max: 1.25W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6 (SOT-363)
Disponibile8.622