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SI1563DH-T1-E3

SI1563DH-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI1563DH-T1-E3
PNEDA Part # SI1563DH-T1-E3
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.572
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI1563DH-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI1563DH-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI1563DH-T1-E3, SI1563DH-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 141,34 KB)
PDFSI1563DH-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI1563DH-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI1563DH-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI1563DH-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI1563DH-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI1563DH-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI1563DH-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI1563DH-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI1563DH-T1-GE3 Datasheet Pagina 9

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SI1563DH-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.13A, 880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 1.13A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max570mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)

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Micro Commercial Co

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

340mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V, 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

121nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6100pF @ 25V

Potenza - Max

69W, 96W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2480pF @ 25V

Potenza - Max

64W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 10V

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