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SI1902DL-T1-E3

SI1902DL-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI1902DL-T1-E3
PNEDA Part # SI1902DL-T1-E3
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.904
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI1902DL-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI1902DL-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI1902DL-T1-E3, SI1902DL-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 236,4 KB)
PDFSI1902DL-T1-E3 Datasheet Copertura
SI1902DL-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI1902DL-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI1902DL-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI1902DL-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI1902DL-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI1902DL-T1-E3 Datasheet Pagina 7 SI1902DL-T1-E3 Datasheet Pagina 8 SI1902DL-T1-E3 Datasheet Pagina 9

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SI1902DL-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C660mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs385mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max270mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 20V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

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Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

95A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Potenza - Max

462W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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SP3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.1nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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