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Transistor

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UPA2394T1P-E1-A
UPA2394T1P-E1-A

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile8.370
UPA2396T1P-E1-A
UPA2396T1P-E1-A

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile3.942
UPA2600T1R-E2-AX
UPA2600T1R-E2-AX

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 20V 7A 6SON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 3.5A, 2.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-PowerWDFN
Disponibile8.424
UPA2630T1R-E2-AX
UPA2630T1R-E2-AX

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 12V 7A 6SON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 1.8V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-PowerWDFN
Disponibile5.256
UPA2631T1R-E2-AX
UPA2631T1R-E2-AX

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 20V 6A 6SON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 1.8V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-PowerWDFN
Disponibile6.246
UPA2706GR-E1-A
UPA2706GR-E1-A

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile3.294
UPA2714GR(0)-E1-A
UPA2714GR(0)-E1-A

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile6.426
UPA2735GR-E1-AT
UPA2735GR-E1-AT

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6250pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)
Disponibile2.340
UPA2736GR-E1-AT
UPA2736GR-E1-AT

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3400pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)
Disponibile4.662
UPA2737GR-E1-AT
UPA2737GR-E1-AT

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Disponibile2.322
UPA2738GR-E1-AT
UPA2738GR-E1-AT

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)
Disponibile5.832
UPA2739T1A-E2-AY
UPA2739T1A-E2-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 85A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 23A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6050pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HVSON (5.4x5.15)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile6.642
UPA2752GR(1)-E1-A
UPA2752GR(1)-E1-A

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile3.186
UPA2752GR-E1-AT
UPA2752GR-E1-AT

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile3.942
UPA2754GR(0)-E1-AY
UPA2754GR(0)-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile3.438
UPA2764T1A-E2-AY
UPA2764T1A-E2-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 130A 8SON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 130A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 35A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7930pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 83W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HVSON (5.4x5.15)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile7.632
UPA2765T1A-E2-AY
UPA2765T1A-E2-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 32A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6550pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 83W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HVSON (5.4x5.15)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile3.294
UPA2766T1A-E1-AY
UPA2766T1A-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 130A 8SON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 130A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.82mOhm @ 39A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10850pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 83W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HVSON (5.4x5.15)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile5.022
UPA2766T1A-E2-AY
UPA2766T1A-E2-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.82mOhm @ 39A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10850pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 83W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HVSON (5.4x5.15)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile8.046
UPA2770GR(0)-E1-AY
UPA2770GR(0)-E1-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile2.070
UPA2782GR-E1-A
UPA2782GR-E1-A

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile5.544
UPA2792GR(0)-E1-AZ
UPA2792GR(0)-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile8.928
UPA2793GR(01)-E2-AY
UPA2793GR(01)-E2-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile6.066
UPA2793GR(0)-E2-AY
UPA2793GR(0)-E2-AY

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile4.230
UPA2794GR(0)-E1-AZ
UPA2794GR(0)-E1-AZ

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

TRANSISTOR

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile2.934
UPA2812T1L-E1-AT
UPA2812T1L-E1-AT

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3740pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 52W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HVSON (3x3.3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile2.286
UPA2812T1L-E2-AT
UPA2812T1L-E2-AT

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3740pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HWSON (3.3x3.3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile3.744
UPA2813T1L-E1-AT
UPA2813T1L-E1-AT

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 27A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3130pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 52W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HVSON (3x3.3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile4.788
UPA2813T1L-E2-AT
UPA2813T1L-E2-AT

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 27A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3130pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HWSON (3.3x3.3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN
Disponibile7.506
UPA2814T1S-E2-AT
UPA2814T1S-E2-AT

Renesas Electronics America

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 24A, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HWSON (3.3x3.3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN
Disponibile6.786