UPA2765T1A-E2-AY
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Numero parte | UPA2765T1A-E2-AY |
PNEDA Part # | UPA2765T1A-E2-AY |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 100A 8SON |
Produttore | Renesas Electronics America |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.294 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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UPA2765T1A-E2-AY Risorse
Brand | Renesas Electronics America |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | UPA2765T1A-E2-AY |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
UPA2765T1A-E2-AY, UPA2765T1A-E2-AY Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 144,06 KB)
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UPA2765T1A-E2-AY Specifiche
Produttore | Renesas Electronics America |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 32A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6550pF @ 10V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta), 83W (Tc) |
Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HVSON (5.4x5.15) |
Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
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