Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
TSM70N380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 700V 11A TO252 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 981pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile25.032
TSM70N600ACL X0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 700V 8A TO262S Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 743pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262S (I2PAK) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Short Leads, I²Pak	Disponibile17.808
TSM70N600CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 743pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 (IPAK) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile16.044
TSM70N600CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 700V 8A ITO220 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 743pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Disponibile19.692
TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 743pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.600
TSM70N750CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 555pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 (IPAK) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile16.554
TSM70N750CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO252 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 555pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.330
TSM70N900CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 482pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 (IPAK) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile2.304
TSM70N900CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 700V 4.5A ITO220 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 482pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Disponibile18.576
TSM70N900CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 700V 4.5A TO252 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 482pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.876
TSM70NB1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 700V 3A TO252 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 317pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.704
TSM7N65ACI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 650V 7A ITO220 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1406pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Disponibile2.304
TSM7N90CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 900V 7A ITO220 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1969pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Disponibile18.612
TSM7N90CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 900V 7A TO220 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1969pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile19.200
TSM7NC60CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 7A ITO220S Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1169pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 44.6W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220S Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile18.192
TSM7NC65CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 7A ITO220S Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1169pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 44.6W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220S Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile15.570
TSM7ND60CI Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 600V 7A SINGLE N-CHANNEL POWER M Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1108pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Disponibile30.708
TSM7ND65CI Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 650V 7A SINGLE N-CHANNEL POWER M Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1124pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Disponibile31.578
TSM7P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 15.6W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile23.760
TSM80N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3905pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 113.6W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile17.568
TSM80N1R2CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 685pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 (IPAK) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile26.658
TSM80N1R2CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 685pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Disponibile23.424
TSM80N1R2CL C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 685pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262S (I2PAK) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Short Leads, I²Pak	Disponibile3.888
TSM80N1R2CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 685pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile38.514
TSM80N400CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 12A ITO220S Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1848pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 69W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220S Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile20.724
TSM80N950CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 691pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251 (IPAK) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile32.622
TSM80N950CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 800V 6A ITO220 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 691pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ITO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Disponibile20.808
TSM80N950CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 691pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile20.766
TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 529pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile159.600
TSM85N10CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220 Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 81A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3900pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 210W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile18.648

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