Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 1619/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
NTR4101PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 675pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 420mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile711.198
NTR4101PT1H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 675pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 420mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile25.410
NTR4170NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 432pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile272.634
NTR4170NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 3.2A SGL SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 432pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.430
NTR4171PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile600.276
NTR4171PT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.042
NTR4501NST1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile27.768
NTR4501NT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.25W (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.838
NTR4501NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.25W (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile947.700
NTR4501NT3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.25W (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.248
NTR4501NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.25W (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.964
NTR4502PT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.460
NTR4502PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile274.320
NTR4502PT3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.294
NTR4502PT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.608
NTR4503NST1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.848
NTR4503NT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 420mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.816
NTR4503NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 420mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile87.846
NTR4503NT3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 420mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.442
NTR4503NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 420mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.048
NTR5103NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 0.26A SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81nC @ 5V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile877.854
NTR5105PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 0.196A SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 196mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 347mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile156.366
NTR5198NLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 182pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.017.216
NTRV4101PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 675pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 420mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.182
NTS2101PT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 8V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 290mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323) Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile5.706
NTS2101PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 8V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 290mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323) Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile2.010.822
NTS4001NT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 330mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323) Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile4.950
NTS4001NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 330mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323) Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile1.842.222
NTS4101PT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.37A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 329mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323) Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile8.010
NTS4101PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.37A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 329mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323) Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile869.634

«
‹
1
...
1616
1617
1618
1619 (current)
1620
1621
1622
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message