Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 1620/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
NTS4172NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.38nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 381pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 294mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323) Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile6.534
NTS4173PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 290mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323) Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile1.306.500
NTS4409NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 700mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 280mW (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-3 (SOT323) Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile149.646
NTTD4401FR2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO Produttore: ON Semiconductor Serie: FETKY™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 780mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Micro8™ Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Disponibile4.752
NTTD4401FR2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO Produttore: ON Semiconductor Serie: FETKY™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 780mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Micro8™ Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Disponibile2.196
NTTFS002N04CLTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo FET 40V 142A Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.452
NTTFS002N04CTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo FET 40V 136A Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.182
NTTFS003N04CTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 103A Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 103A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 69W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile4.752
NTTFS004N04CTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 77A Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 77A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 55W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile7.938
NTTFS005N04CTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 40V SG NCH U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 69A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile4.986
NTTFS008N04CTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 40V SG NCH U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 48A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.622
NTTFS010N10MCLTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PTNG 100V Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.7A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta),52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile8.388
NTTFS015N04CTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 27A Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Ta), 27A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.816
NTTFS015P03P8ZTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PFET U8FL 30V 15MO Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2706pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile7.290
NTTFS015P03P8ZTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PFET U8FL 30V 15MO Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2706pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile7.758
NTTFS3A08PZTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 14A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 840mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile12.642
NTTFS3A08PZTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 14A U8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 840mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile51.936
NTTFS4800NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 964pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 860mW (Ta), 33.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile4.896
NTTFS4800NTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 964pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 860mW (Ta), 33.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile5.940
NTTFS4821NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), 57A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 11.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 660mW (Ta), 38.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile6.768
NTTFS4821NTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), 57A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 11.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 660mW (Ta), 38.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile2.880
NTTFS4823NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.1A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1013pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 660mW (Ta), 32.9W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile5.976
NTTFS4823NTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.1A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1013pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 660mW (Ta), 32.9W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile5.562
NTTFS4824NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.3A (Ta), 69A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 11.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2363pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 660mW (Ta), 46.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile16.050
NTTFS4824NTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.3A (Ta), 69A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 11.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2363pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 660mW (Ta), 46.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile2.430
NTTFS4840NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 840mW (Ta), 27.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile4.212
NTTFS4840NTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 840mW (Ta), 27.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile2.160
NTTFS4928NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 7.3A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Ta), 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 913pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 810mW (Ta), 20.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile21.840
NTTFS4928NTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 41A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Ta), 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 913pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 810mW (Ta), 20.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile6.786
NTTFS4929NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.6A (Ta), 34A(Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 810mW (Ta), 22.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile7.560

«
‹
1
...
1617
1618
1619
1620 (current)
1621
1622
1623
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message