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NTR4501NT1

NTR4501NT1

Solo per riferimento

Numero parte NTR4501NT1
PNEDA Part # NTR4501NT1
Descrizione MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 8.838
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 2 - giu 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTR4501NT1 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTR4501NT1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NTR4501NT1, NTR4501NT1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 192,23 KB)
PDFNTR4501NT1 Datasheet Copertura
NTR4501NT1 Datasheet Pagina 2 NTR4501NT1 Datasheet Pagina 3 NTR4501NT1 Datasheet Pagina 4 NTR4501NT1 Datasheet Pagina 5 NTR4501NT1 Datasheet Pagina 6

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NTR4501NT1 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.2A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds200pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.25W (Tj)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta), 70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 3.35mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3920pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta), 28W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

HSSO8-F1-B

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Flat Leads

MCH3477-TL-W

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70FL/MCPH3

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

EPC2032

EPC

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

48A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 30A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 11mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 5V

Vgs (massimo)

+6V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1530pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

Pacchetto / Custodia

Die

IRF540ZSTRRPBF

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

36A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26.5mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1770pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

92W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

625mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

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Pacchetto / Custodia

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