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Transistor

Record 64.903
Pagina 1502/2164
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Numero parte
Descrizione
Disponibile
Quantità
IXFN180N15P

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: PolarHT™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 150V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 680W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile7.866
IXFN180N20
IXFN180N20

IXYS

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 660nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 22000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 700W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile8.604
IXFN180N25T

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

  • Produttore: IXYS
  • Serie: GigaMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 250V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 168A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 28000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 900W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile3.618
IXFN200N07
IXFN200N07

IXYS

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 70V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile7.200
IXFN200N10P

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: Polar™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 680W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile6.246
IXFN20N120
IXFN20N120

IXYS

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7400pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 780W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile3.544
IXFN20N120P

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: Polar™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11100pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 595W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile3.384
IXFN210N20P

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 188A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18600pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1070W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile133
IXFN210N30P3

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227

  • Produttore: IXYS
  • Serie: HiPerFET™, Polar3™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 300V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 192A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16200pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1500W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile4.752
IXFN210N30X3

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

FET N-CHANNEL

  • Produttore: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 300V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 210A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 105A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 24200pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 695W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile3.114
IXFN21N100Q

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile7.218
IXFN220N20X3

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

  • Produttore: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 390W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile6.336
IXFN230N10
IXFN230N10

IXYS

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 230A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 700W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile18.612
IXFN230N20T

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

  • Produttore: IXYS
  • Serie: GigaMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 220A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 28000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1090W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile7.032
IXFN23N100
IXFN23N100

IXYS

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 600W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile5.562
IXFN240N15T2

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

  • Produttore: IXYS
  • Serie: GigaMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 150V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 240A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 32000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 830W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile2.664
IXFN240N25X3

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 250V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 240A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 120A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 23800pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 695W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile8.586
IXFN24N100
IXFN24N100

IXYS

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8700pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 568W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile7.506
IXFN24N100F
IXFN24N100F

IXYS-RF

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

  • Produttore: IXYS-RF
  • Serie: HiPerRF™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 600W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile225
IXFN24N90Q
IXFN24N90Q

IXYS

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 900V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile8.244
IXFN25N90
IXFN25N90

IXYS

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 900V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10800pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 600W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile4.914
IXFN260N17T

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

  • Produttore: IXYS
  • Serie: GigaMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 170V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 245A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 24000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1090W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile3.258
IXFN26N100P

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: Polar™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11900pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 595W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile2.016
IXFN26N120P

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: Polar™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 13A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±30V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 695W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile2.448
IXFN26N90
IXFN26N90

IXYS

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 900V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10800pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 600W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile6.456
IXFN27N80
IXFN27N80

IXYS

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 800V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9740pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile7.398
IXFN27N80Q
IXFN27N80Q

IXYS

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 800V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile2.178
IXFN280N07
IXFN280N07

IXYS

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 70V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 280A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 600W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile5.274
IXFN280N085

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

  • Produttore: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 85V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 280A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 700W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile3.852
IXFN300N10P

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

  • Produttore: IXYS
  • Serie: Polar™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 295A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1070W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Chassis Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B
  • Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC
Disponibile5.346