Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IXFN300N20X3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 23800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 695W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.424
IXFN30N110P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: Polar™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 695W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile5.976
IXFN30N120P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: Polar™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 890W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile7.020
IXFN320N17T2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 Produttore: IXYS Serie: GigaMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 170V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 260A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 45000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1070W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile6.408
IXFN32N100P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: Polar™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 690W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile3.744
IXFN32N100Q3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9940pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 780W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.928
IXFN32N120P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: Polar™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1000W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile7.812
IXFN32N60 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520AW (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile3.960
IXFN32N80P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: PolarHV™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8820pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 625W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile5.580
IXFN340N06 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 340A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 600nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile4.590
IXFN340N07 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 70V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 340A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 490nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.406
IXFN34N100 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile4.140
IXFN34N80 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.460
IXFN360N10T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 360A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 505nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 36000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 830W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile1.567
IXFN360N15T2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 310A SOT227 Produttore: IXYS Serie: GigaMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 310A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 47500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1070W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile17.784
IXFN36N100 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile9.204
IXFN36N110P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: Polar™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1000W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.568
IXFN36N60 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile5.490
IXFN38N100P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 24000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1000W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile5.778
IXFN38N100Q2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 890W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile7.038
IXFN38N80Q2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8340pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 735W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile6.876
IXFN39N90 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 694W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile5.400
IXFN400N15X3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 400A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 23700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 695W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile3.906
IXFN40N110P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: Polar™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 890W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile2.646
IXFN40N110Q3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 960W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile2.160
IXFN40N90P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 Produttore: IXYS Serie: Polar™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 695W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile6.642
IXFN420N10T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227 Produttore: IXYS Serie: GigaMOS™ HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 420A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 47000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1070W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile6.216
IXFN44N100P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: Polar™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 890W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile3.870
IXFN44N100Q3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 960W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.730
IXFN44N50 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227B Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC	Disponibile8.676

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