IXFN27N80Q
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Numero parte | IXFN27N80Q |
PNEDA Part # | IXFN27N80Q |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B |
Produttore | IXYS |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.178 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | giu 20 - giu 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXFN27N80Q Risorse
Brand | IXYS |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | IXFN27N80Q |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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IXFN27N80Q Specifiche
Produttore | IXYS |
Serie | HiPerFET™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / Custodia | SOT-227-4, miniBLOC |
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