Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
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Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IPA60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo HIGH POWER_NEW Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1503pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.346
IPA60R125CPXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile10.380
IPA60R125P6XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2660pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile3.526
IPA60R145CFD7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo HIGH POWER_NEW Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile5.040
IPA60R160C6XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile15.780
IPA60R160P6XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2080pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile2.664
IPA60R165CPXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile2.754
IPA60R170CFD7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH TO220FP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CFD7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1199pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 26W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile17.988
IPA60R180C7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 29W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.868
IPA60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 26W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.648
IPA60R180P7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 26W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile2.502
IPA60R190C6XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.940
IPA60R190E6XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile2.808
IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile13.968
IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1520pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.686
IPA60R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 26W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.166
IPA60R1K5CEXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.164
IPA60R210CFD7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo LOW POWER_NEW Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.678
IPA60R230P6XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile10.692
IPA60R250CPXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.228
IPA60R280C6XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.416
IPA60R280CFD7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH TO220FP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CFD7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 807pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 24W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile10.116
IPA60R280E6XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile2.610
IPA60R280P6XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.320
IPA60R280P7SE8228XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CONSUMER Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 761pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 24W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.732
IPA60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 12A TO220 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 761pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 24W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile19.464
IPA60R280P7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 12A TO220 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 761pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 24W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.184
IPA60R299CPXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile4.158
IPA60R330P6XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile3.510
IPA60R360P7SE8228XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo CONSUMER Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 555pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 22W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.004

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