Transistor

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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IPA50R190CEXKSA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1137pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile20.148
IPA50R199CPXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 139W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile3.672
IPA50R250CPXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1420pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile11.328
IPA50R280CE Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 773pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 30.4W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.166
IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 773pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30.4W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.820
IPA50R299CPXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 550V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.400
IPA50R350CPXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.022
IPA50R380CE Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 29.2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile3.078
IPA50R380CEXKSA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 6.3A TO-220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 584pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 29.2W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile18.588
IPA50R399CPXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.274
IPA50R500CE Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 433pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile2.610
IPA50R500CEXKSA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 5.4A TO-220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 433pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.326
IPA50R520CPXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 66W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile4.608
IPA50R650CE Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 342pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 27.2W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.010
IPA50R650CEXKSA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 4.6A TO-220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 342pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 27.2W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.470
IPA50R800CE Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 5A PG-TO220 FPK Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 26.4W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.382
IPA50R800CEXKSA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 26.4W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.850
IPA50R950CE Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 231pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 25.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.434
IPA50R950CEXKSA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 3.7A TO-220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 231pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile17.040
IPA60R060C7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2850pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.184
IPA60R060P7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 48A TO220 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2895pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 29W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.506
IPA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 37A TO220 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 29W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.928
IPA60R099C6XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2660pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile108.408
IPA60R099C7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1819pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile3.564
IPA60R099P6XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3330pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.512
IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 31A TO220 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1952pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 29W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile20.100
IPA60R120C7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.542
IPA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 26A TO220 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1544pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.218
IPA60R125C6E8191XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.416
IPA60R125C6XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile9.864

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