Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo COOLSIC MOSFETS 1200V Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1.2kV Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 18V Vgs (massimo): +23V, -7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 454pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3-41 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.452
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo COOLSIC MOSFETS 1200V Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1.2kV Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 18V Vgs (massimo): +23V, -7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 289pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3-41 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.042
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo COOLSIC MOSFETS 1200V Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1.2kV Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 18V Vgs (massimo): +23V, -7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 182pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3-41 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.776
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo COOLSIC MOSFETS 1200V Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1.2kV Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 18V Vgs (massimo): +23V, -7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2.12nF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 227W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-4-1 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile2.844
IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo COOLSIC MOSFETS 1200V Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1.2kV Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 18V Vgs (massimo): +23V, -7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1.06nF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-4-1 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile5.760
IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo COOLSIC MOSFETS 1200V Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1.2kV Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 18V Vgs (massimo): +23V, -7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 707pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 115W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-4-1 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile2.322
IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo COOLSIC MOSFETS 1200V Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1.2kV Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 18V Vgs (massimo): +23V, -7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 454pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-4-1 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile8.946
IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo COOLSIC MOSFETS 1200V Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1.2kV Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 18V Vgs (massimo): +23V, -7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 289pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-4-1 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile6.822
IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo COOLSIC MOSFETS 1200V Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss): 1.2kV Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 18V Vgs (massimo): +23V, -7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 182pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-4-1 Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile4.986
IPA028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 89A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 89A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14200pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile14.700
IPA029N06NXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 84A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 84A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 75µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5125pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.884
IPA030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 79A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 79A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14800pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 41W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.470
IPA032N06N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 84A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 41W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-3-31 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile9.816
IPA037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8110pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 41W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile12.264
IPA040N06NXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 69A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 69A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3375pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 36W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.192
IPA041N04NGXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.016
IPA045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 64A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 64A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8410pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 39W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile16.764
IPA057N06N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-3-31 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile9.060
IPA057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4750pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 39W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile17.028
IPA060N06NXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.174
IPA075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7280pF @ 75V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 39W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile9.084
IPA083N10N5XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2730pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 36W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile12.156
IPA086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 37.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.650
IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3900pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-3-31 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.724
IPA100N08N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2410pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.308
IPA105N15N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 75V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile22.488
IPA126N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.964
IPA180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.912
IPA50R140CPXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 23A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2540pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile21.744
IPA50R190CE Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1137pF @ 100V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile2.718

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