Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
FQB13N06TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.850
FQB13N10LTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 65W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.366
FQB13N10TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 65W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.860
FQB13N50CTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 195W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.694
FQB14N15TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 14.4A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.970
FQB14N30TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 147W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.606
FQB15P12TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 120V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.624
FQB16N15TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 16.4A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 108W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.340
FQB16N25CTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 139W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.498
FQB16N25TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 142W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.048
FQB17N08LTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 65W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.822
FQB17N08TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 65W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.164
FQB17P06TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 79W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.258
FQB17P10TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.022
FQB19N10LTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.172
FQB19N10TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.914
FQB19N20CTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 139W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile15.756
FQB19N20LTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 140W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.992
FQB19N20TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 140W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.526
FQB1N60TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.138
FQB1P50TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 63W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile23.310
FQB20N06LTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 53W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.534
FQB20N06TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 53W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.546
FQB22P10TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile15.528
FQB22P10TM-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.268
FQB24N08TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.400
FQB25N33TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 330V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 15V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2010pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.220
FQB25N33TM-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 330V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 15V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2010pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.130
FQB27N25TM_AM002 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 180W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.444
FQB27N25TM-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 417W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.460

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