Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
FQAF40N25 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 24A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 108W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile5.400
FQAF44N08 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 35.6A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 17.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile5.202
FQAF44N10 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 33A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 85W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile2.538
FQAF47P06 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 38A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile5.904
FQAF58N08 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 44A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 85W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile7.524
FQAF5N90 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.05A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 90W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile7.272
FQAF65N06 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 49A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 24.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2410pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 86W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile3.294
FQAF6N80 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 90W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile6.660
FQAF6N90 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile8.010
FQAF70N15 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 44A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 130W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile8.928
FQAF7N80 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 5A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile5.922
FQAF7N90 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 5.2A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2280pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 107W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile3.294
FQAF8N80 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 5.9A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.95A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 107W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile8.856
FQAF90N08 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 56A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile6.300
FQAF9N50 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-3P Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 90W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile2.214
FQAF9P25 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 250V 7.1A TO-3P Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 70W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile5.706
FQB10N20CTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 72W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.776
FQB10N20LTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 87W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.736
FQB10N20TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.300
FQB10N50CFTM-WS ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 10A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: FRFET®, QFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2210pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 143W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile15.876
FQB10N60CTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.742
FQB11N40CTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 135W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.382
FQB11N40TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 147W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.254
FQB11P06TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 53W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile15.384
FQB12N50TM_AM002 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 6.05A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 179W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.564
FQB12N60CTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2290pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 225W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.156
FQB12N60TM_AM002 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 180W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.240
FQB12P10TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.272
FQB12P20TM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.13W (Ta), 120W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile25.302
FQB13N06LTM ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.75W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.156

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