Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 1217/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
FQA90N10V2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 105A TO-3P Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 105A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 52.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 330W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3	Disponibile7.488
FQA90N15 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PN Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3	Disponibile11.412
FQA90N15-F109 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PN Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3	Disponibile21.048
FQA9N50 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3P Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 160W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3	Disponibile7.002
FQA9N90C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2730pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 280W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3	Disponibile2.178
FQA9N90C-F109 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2730pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 280W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3	Disponibile10.308
FQA9N90-F109 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 8.6A TO-3P Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 240W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PN Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3	Disponibile4.050
FQA9P25 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 250V 10.5A TO-3P Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 5.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3	Disponibile10.068
FQAF10N80 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 113W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile2.124
FQAF11N40 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 8.8A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 90W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile5.076
FQAF11N90 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 7.2A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 120W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile2.556
FQAF11N90C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3290pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 120W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile8.604
FQAF12N60 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 7.8A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile2.340
FQAF12P20 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 200V 8.6A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 70W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile5.058
FQAF13N80 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 120W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile5.958
FQAF14N30 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 11.4A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 90W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile5.112
FQAF15N70 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 700V 9.5A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 120W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile7.830
FQAF16N25 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 12.4A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 85W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile6.228
FQAF16N25C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 11.4A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 73W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile8.334
FQAF16N50 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 11.3A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 5.65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile8.784
FQAF17N40 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 12.2A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 6.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile5.580
FQAF17P10 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 12.4A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 56W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile3.852
FQAF19N20 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 15A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 85W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile8.820
FQAF19N20L ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 16A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 85W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile2.448
FQAF19N60 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 120W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile7.866
FQAF22P10 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 16.6A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 70W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile3.438
FQAF28N15 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 22A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 102W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile6.462
FQAF33N10 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 12.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile6.966
FQAF33N10L ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: QFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 12.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile3.780
FQAF34N25 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 21.7A TO-3PF Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2750pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile5.382

«
‹
1
...
1214
1215
1216
1217 (current)
1218
1219
1220
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message