Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
DMN53D0U-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile264.840
DMN55D0UT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 100mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523 Pacchetto / Custodia: SOT-523	Disponibile7.092
DMN55D0UTQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 100mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523 Pacchetto / Custodia: SOT-523	Disponibile27.348
DMN5L06-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 280mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile5.994
DMN5L06K-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile5.053.578
DMN5L06KQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile1.579
DMN5L06T-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 280mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523 Pacchetto / Custodia: SOT-523	Disponibile3.726
DMN5L06TK-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 280mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523 Pacchetto / Custodia: SOT-523	Disponibile570.726
DMN5L06W-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 280mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile2.502
DMN5L06WK-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile1.287.012
DMN5L06WKQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile4.554
DMN6013LFG-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.3A (Ta), 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2577pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.516
DMN6013LFG-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.3A (Ta), 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2577pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.118
DMN6013LFGQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.3A (Ta), 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2577pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.814
DMN6013LFGQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.3A (Ta), 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2577pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile19.470
DMN6017SFV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2711pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.590
DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2711pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.994
DMN601K-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile749.508
DMN601TK-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523 Pacchetto / Custodia: SOT-523	Disponibile90.666
DMN601WK-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile6.678
DMN601WKQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 60V SOT323 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile6.300
DMN601WKQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile5.364
DMN6040SFDE-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 660mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type E) Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile720.378
DMN6040SFDEQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020- Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.286
DMN6040SFDEQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020- Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.718
DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 60V 20A TO252 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.870
DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile109.158
DMN6040SVT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 60V 5A TSOT26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile7.938
DMN6040SVTQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 60V 5A TSOT26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile2.322
DMN6040SVTQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile7.956

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