DMN6040SVTQ-7
Solo per riferimento
Numero parte | DMN6040SVTQ-7 |
PNEDA Part # | DMN6040SVTQ-7 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26 |
Produttore | Diodes Incorporated |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.956 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
DMN6040SVTQ-7 Risorse
Brand | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | DMN6040SVTQ-7 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- DMN6040SVTQ-7 Datasheet
- where to find DMN6040SVTQ-7
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated DMN6040SVTQ-7
- DMN6040SVTQ-7 PDF Datasheet
- DMN6040SVTQ-7 Stock
- DMN6040SVTQ-7 Pinout
- Datasheet DMN6040SVTQ-7
- DMN6040SVTQ-7 Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- DMN6040SVTQ-7 Price
- DMN6040SVTQ-7 Distributor
DMN6040SVTQ-7 Specifiche
Produttore | Diodes Incorporated |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 4.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1287pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
Toshiba Semiconductor and Storage Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVII-H Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 1A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.2V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23F Pacchetto / Custodia SOT-23-3 Flat Leads |
Infineon Technologies Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA) Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Microchip Technology Produttore Microchip Technology Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Nexperia Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.05A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 570mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 152pF @ 16V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 417mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Microsemi Produttore Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 47A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2.7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7015pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 417W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B] Pacchetto / Custodia TO-247-3 |