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DMN55D0UT-7

DMN55D0UT-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN55D0UT-7
PNEDA Part # DMN55D0UT-7
Descrizione MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.092
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN55D0UT-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN55D0UT-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMN55D0UT-7, DMN55D0UT-7 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 439,46 KB)
PDFDMN55D0UT-7 Datasheet Copertura
DMN55D0UT-7 Datasheet Pagina 2 DMN55D0UT-7 Datasheet Pagina 3 DMN55D0UT-7 Datasheet Pagina 4 DMN55D0UT-7 Datasheet Pagina 5 DMN55D0UT-7 Datasheet Pagina 6 DMN55D0UT-7 Datasheet Pagina 7

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DMN55D0UT-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C160mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds25pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)200mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-523
Pacchetto / CustodiaSOT-523

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

27W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

ZXMN2A02N8TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 11A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.9nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.56W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRFR9014TRLPBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 4.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

56W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

310mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

260mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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