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Disponibile
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GD25WD40CEIGR
GD25WD40CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile5.886
GD25WD40CTIG
GD25WD40CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile8.118
GD25WD40CTIGR
GD25WD40CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile7.110
GD25WD80CEIGR
GD25WD80CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile25.860
GD25WD80CTIG
GD25WD80CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile4.230
GD25WD80CTIGR
GD25WD80CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile8.982
GD5F1GQ4RF9IGR
GD5F1GQ4RF9IGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 700µs
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 2V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VLGA Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LGA (6x8)
Disponibile8.802
GD5F1GQ4RF9IGY
GD5F1GQ4RF9IGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 700µs
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 2V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VLGA Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LGA (6x8)
Disponibile7.866
GD5F1GQ4UEYIGR
GD5F1GQ4UEYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 700µs
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile7.830
GD5F1GQ4UEYIGY
GD5F1GQ4UEYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 700µs
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile7.938
GD5F1GQ4UFYIGR
GD5F1GQ4UFYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 700µs
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile6.912
GD5F1GQ4UFYIGY
GD5F1GQ4UFYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 700µs
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile6.174
GD5F2GQ4RF9IGR
GD5F2GQ4RF9IGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 700µs
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 2V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VLGA Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LGA (6x8)
Disponibile7.146
GD5F2GQ4RF9IGY
GD5F2GQ4RF9IGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 700µs
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 2V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VLGA Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LGA (6x8)
Disponibile3.580
GD5F2GQ4UEYIGR
GD5F2GQ4UEYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 700µs
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile2.934
GD5F2GQ4UEYIGY
GD5F2GQ4UEYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 700µs
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile5.742
GD5F2GQ4UF9IGR
GD5F2GQ4UF9IGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 700µs
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VLGA Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LGA (6x8)
Disponibile2.358
GD5F2GQ4UFYIGY
GD5F2GQ4UFYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 700µs
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile4.518
GD5F4GQ4RBYIGR
GD5F4GQ4RBYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 2V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile8.352
GD5F4GQ4RBYIGY
GD5F4GQ4RBYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 2V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile2.862
GD5F4GQ4RCYIGR
GD5F4GQ4RCYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 2V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile3.474
GD5F4GQ4RCYIGY
GD5F4GQ4RCYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 2V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile4.086
GD5F4GQ4UBYIGR
GD5F4GQ4UBYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile3.762
GD5F4GQ4UBYIGY
GD5F4GQ4UBYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile4.050
GD5F4GQ4UCYIGR
GD5F4GQ4UCYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile82
GD5F4GQ4UCYIGY
GD5F4GQ4UCYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SPI NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile6.606
GD9FS1G8F2AMGI
GD9FS1G8F2AMGI

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SLC NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: -
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile3.384
GD9FU1G8F2AMGI
GD9FU1G8F2AMGI

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

SLC NAND FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: -
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile7.560
GE28F160C3TD70A
GE28F160C3TD70A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 16M PARALLEL 46VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - Boot Block
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 46-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 46-VFBGA
Disponibile8.766
GE28F320C3BC90

Memoria

IC FLASH 32M PARALLEL 48VFBGA

  • Produttore: Intel
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - Boot Block
  • Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 90ns
  • Tempo di accesso: 90ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA
Disponibile6.894