+86-0755-83210135

Send Message

Need Help?
Send Message

Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.
Accedi Italiano USD
Carrello 0 articoli Carica BOM Risparmia tempo

Circuiti integrati di memoria

Record 47.332
Pagina 746/1578
Immagine
Numero parte
Descrizione
Disponibile
Quantità
GD25VQ16CEIGR
GD25VQ16CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile7.902
GD25VQ16CSIG
GD25VQ16CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile8.622
GD25VQ16CSIGR
GD25VQ16CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile5.274
GD25VQ16CTIG
GD25VQ16CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile7.218
GD25VQ16CTIGR
GD25VQ16CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile6.984
GD25VQ20CEIGR
GD25VQ20CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile6.642
GD25VQ20CSIG
GD25VQ20CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile5.364
GD25VQ20CSIGR
GD25VQ20CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile6.120
GD25VQ20CTIG
GD25VQ20CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile8.208
GD25VQ20CTIGR
GD25VQ20CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile3.744
GD25VQ32CTIGR
GD25VQ32CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 2.4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile2.862
GD25VQ40CEIGR
GD25VQ40CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile3.582
GD25VQ40CSIG
GD25VQ40CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile5.796
GD25VQ40CSIGR
GD25VQ40CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile4.896
GD25VQ40CTIG
GD25VQ40CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile7.470
GD25VQ40CTIGR
GD25VQ40CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile8.766
GD25VQ80CEIGR
GD25VQ80CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile8.370
GD25VQ80CSIG
GD25VQ80CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile8.856
GD25VQ80CSIGR
GD25VQ80CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile5.058
GD25VQ80CTIG
GD25VQ80CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile6.678
GD25VQ80CTIGR
GD25VQ80CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 3ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile6.120
GD25WD05CEIGR
GD25WD05CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile5.580
GD25WD05CTIG
GD25WD05CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile6.660
GD25WD05CTIGR
GD25WD05CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile7.092
GD25WD10CEIGR
GD25WD10CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile2.016
GD25WD10CTIG
GD25WD10CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile4.662
GD25WD10CTIGR
GD25WD10CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile7.776
GD25WD20CEIGR
GD25WD20CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile8.190
GD25WD20CTIG
GD25WD20CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile3.672
GD25WD20CTIGR
GD25WD20CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile2.700