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GD25Q64CWIGR
GD25Q64CWIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 2.4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (5x6)
Disponibile44.374
GD25Q64CYIGR
GD25Q64CYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 2.4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile3.472
GD25Q64CZIGY
GD25Q64CZIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 2.4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 24-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-TFBGA (6x8)
Disponibile4.752
GD25Q80CEIGR
GD25Q80CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 2.4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile66.330
GD25Q80CNIGR
GD25Q80CNIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 2.4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-UDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (4x3)
Disponibile4.104
GD25Q80CSIG
GD25Q80CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 2.4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile56.087
GD25Q80CSIGR
GD25Q80CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 2.4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile4.100
GD25Q80CTIG
GD25Q80CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 2.4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile4.878
GD25Q80CTIGR
GD25Q80CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 2.4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile5.897
GD25Q80CWIGR
GD25Q80CWIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 120MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 2.4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (5x6)
Disponibile4.860
GD25S512MDBIGY
GD25S512MDBIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 2.4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 24-TBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-TFBGA (6x8)
Disponibile6.624
GD25S512MDFIGR
GD25S512MDFIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 2.4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 16-SOP
Disponibile2.070
GD25S512MDYIGR
GD25S512MDYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 50µs, 2.4ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile3.132
GD25VE16CEIGR
GD25VE16CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile6.750
GD25VE16CSIG
GD25VE16CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile6.192
GD25VE16CSIGR
GD25VE16CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile3.582
GD25VE16CTIG
GD25VE16CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile8.568
GD25VE16CTIGR
GD25VE16CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile4.950
GD25VE20CEIGR
GD25VE20CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile2.718
GD25VE20CSIG
GD25VE20CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile5.634
GD25VE20CSIGR
GD25VE20CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile7.488
GD25VE20CTIG
GD25VE20CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile2.520
GD25VE20CTIGR
GD25VE20CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile7.236
GD25VE32CSIGR
GD25VE32CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile7.380
GD25VE32CVIGR
GD25VE32CVIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 32Mb (4M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSOP
Disponibile4.572
GD25VE40CEIGR
GD25VE40CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-XFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-USON (2x3)
Disponibile3.420
GD25VE40CSIG
GD25VE40CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile2.772
GD25VE40CSIGR
GD25VE40CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile4.356
GD25VE40CTIG
GD25VE40CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile5.076
GD25VE40CTIGR
GD25VE40CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Memoria

NOR FLASH

  • Produttore: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.1V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile5.292