Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
CY7S1061G30-10ZXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I	Disponibile3.096
CY7S1061G30-10ZXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I	Disponibile4.032
CY7S1061GE-10ZXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I	Disponibile8.262
CY7S1061GE-10ZXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I	Disponibile5.184
CY7S1061GE30-10BVM Cypress Semiconductor	Memoria 16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -55°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile4.212
CY7S1061GE30-10BVXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile6.570
CY7S1061GE30-10BVXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile5.652
CY7S1061GE30-10ZXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I	Disponibile5.130
CY7S1061GE30-10ZXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I	Disponibile6.570
CYATB108LD-ZS45XI Cypress Semiconductor	Memoria IC NVSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: NVSRAM Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile8.244
CYD02S36V-167BBC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.4ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 256-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)	Disponibile8.802
CYD02S36V-167BBXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.4ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 256-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)	Disponibile3.348
CYD02S36V18-167BBC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 256-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)	Disponibile6.768
CYD02S36V18-200BBXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.3ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 256-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)	Disponibile5.400
CYD02S36VA-167BBC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.4ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 256-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)	Disponibile7.747
CYD02S36VA-167BBXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.4ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 256-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)	Disponibile8.532
CYD04S18V-167BBC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4.5M PARALLEL 256FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4ns Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 256-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)	Disponibile5.814
CYD04S72V-133BBC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 484FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 4Mb (64K x 72) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4ns Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 484-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 484-FBGA (23x23)	Disponibile240
CYD04S72V-133BBI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 484FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 4Mb (64K x 72) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4ns Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 484-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 484-FBGA (23x23)	Disponibile7.398
CYD04S72V-167BBC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 484FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 4Mb (64K x 72) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4ns Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 484-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 484-FBGA (23x23)	Disponibile6.084
CYD09S18V18-167BBXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4ns Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 256-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)	Disponibile326
CYD09S18V18-167BBXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4ns Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 256-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)	Disponibile6.192
CYD09S18V18-200BBXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.3ns Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 256-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)	Disponibile5.568
CYD09S36V18-167BBXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4ns Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 256-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)	Disponibile5.796
CYD09S36V18-200BBXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.3ns Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 256-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)	Disponibile8.946
CYD09S36V18-200BBXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.3ns Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 256-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)	Disponibile7.362
CYD09S36V18-WW14 Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9MBIT 256FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.064
CYD09S72V-133BBC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 484FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 9Mb (128K x 72) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.4ns Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 484-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 484-FBGA (23x23)	Disponibile1.509
CYD09S72V-133BBI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 484FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 9Mb (128K x 72) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4.4ns Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 484-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 484-FBGA (23x23)	Disponibile3.564
CYD09S72V-167BBC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 484FBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria: 9Mb (128K x 72) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 4ns Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 484-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 484-FBGA (23x23)	Disponibile3.186

CY7S1061G30-10ZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

Disponibile3.096

CY7S1061G30-10ZXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

Disponibile4.032

CY7S1061GE-10ZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

Disponibile8.262

CY7S1061GE-10ZXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

Disponibile5.184

CY7S1061GE30-10BVM

Cypress Semiconductor

Memoria

16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile4.212

CY7S1061GE30-10BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile6.570

CY7S1061GE30-10BVXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile5.652

CY7S1061GE30-10ZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

Disponibile5.130

CY7S1061GE30-10ZXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I

Disponibile6.570

CYATB108LD-ZS45XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: NVSRAM
Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile8.244

CYD02S36V-167BBC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.4ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)

Disponibile8.802

CYD02S36V-167BBXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.4ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)

Disponibile3.348

CYD02S36V18-167BBC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)

Disponibile6.768

CYD02S36V18-200BBXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.3ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)

Disponibile5.400

CYD02S36VA-167BBC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.4ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)

Disponibile7.747

CYD02S36VA-167BBXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.4ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)

Disponibile8.532

CYD04S18V-167BBC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4ns
Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)

Disponibile5.814

CYD04S72V-133BBC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 484FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (64K x 72)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4ns
Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 484-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 484-FBGA (23x23)

Disponibile240

CYD04S72V-133BBI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 484FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (64K x 72)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4ns
Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 484-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 484-FBGA (23x23)

Disponibile7.398

CYD04S72V-167BBC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 484FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (64K x 72)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4ns
Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 484-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 484-FBGA (23x23)

Disponibile6.084

CYD09S18V18-167BBXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4ns
Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)

Disponibile326

CYD09S18V18-167BBXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4ns
Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)

Disponibile6.192

CYD09S18V18-200BBXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.3ns
Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)

Disponibile5.568

CYD09S36V18-167BBXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4ns
Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)

Disponibile5.796

CYD09S36V18-200BBXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.3ns
Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)

Disponibile8.946

CYD09S36V18-200BBXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.3ns
Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 256-FBGA (17x17)

Disponibile7.362

CYD09S36V18-WW14

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9MBIT 256FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: *
Tipo di memoria: -
Formato memoria: -
Tecnologia: -
Dimensione della memoria: -
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile8.064

CYD09S72V-133BBC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 484FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 9Mb (128K x 72)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.4ns
Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 484-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 484-FBGA (23x23)

Disponibile1.509

CYD09S72V-133BBI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 484FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 9Mb (128K x 72)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4.4ns
Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 484-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 484-FBGA (23x23)

Disponibile3.564

CYD09S72V-167BBC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 484FBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria: 9Mb (128K x 72)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 4ns
Tensione - Alimentazione: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 484-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 484-FBGA (23x23)

Disponibile3.186

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