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CYD04S18V-167BBC

CYD04S18V-167BBC

Solo per riferimento

Numero parte CYD04S18V-167BBC
PNEDA Part # CYD04S18V-167BBC
Descrizione IC SRAM 4.5M PARALLEL 256FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.814
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CYD04S18V-167BBC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCYD04S18V-167BBC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CYD04S18V-167BBC, CYD04S18V-167BBC Datasheet (Totale pagine: 26, Dimensioni: 584,5 KB)
PDFCYD04S18V-167BBC Datasheet Copertura
CYD04S18V-167BBC Datasheet Pagina 2 CYD04S18V-167BBC Datasheet Pagina 3 CYD04S18V-167BBC Datasheet Pagina 4 CYD04S18V-167BBC Datasheet Pagina 5 CYD04S18V-167BBC Datasheet Pagina 6 CYD04S18V-167BBC Datasheet Pagina 7 CYD04S18V-167BBC Datasheet Pagina 8 CYD04S18V-167BBC Datasheet Pagina 9 CYD04S18V-167BBC Datasheet Pagina 10 CYD04S18V-167BBC Datasheet Pagina 11

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CYD04S18V-167BBC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria4.5Mb (256K x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso4ns
Tensione - Alimentazione1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore256-FBGA (17x17)

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DIPK

M95040-RMN6TP

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (256 x 4)

Interfaccia di memoria

1-Wire®

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2µs

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOC

MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1.5Tb (192G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

272-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

272-VBGA (14x18)

Produttore

Macronix

Serie

MX25xxx45 - MXSMIO™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

120MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

30µs, 750µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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