Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
CY7C4041KV13-600FCXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 361FCBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 600MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.1V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)	Disponibile4.356
CY7C4042KV13-106FCXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 1066MHZ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1066MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)	Disponibile3.643
CY7C4042KV13-933FCXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 361FCBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)	Disponibile7.913
CY7C4121KV13-633FCXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV Dimensione della memoria: 144Mb (8M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 633MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)	Disponibile430
CY7C4121KV13-667FCXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV Dimensione della memoria: 144Mb (8M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)	Disponibile9.481
CY7C4122KV13-106FCXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV Dimensione della memoria: 144Mb (8M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1066MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)	Disponibile1.163
CY7C4122KV13-933FCXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV Dimensione della memoria: 144Mb (8M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)	Disponibile3.096
CY7C4141KV13-633FCXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV Dimensione della memoria: 144Mb (4M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 633MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)	Disponibile4.699
CY7C4141KV13-667FCXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV Dimensione della memoria: 144Mb (4M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)	Disponibile2.430
CY7C4142KV13-933FCXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV Dimensione della memoria: 144Mb (4M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)	Disponibile792
CY7S1041G-10ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile6.084
CY7S1041G-10ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile3.906
CY7S1041G30-10BVXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile8.496
CY7S1041G30-10BVXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile4.086
CY7S1041G30-10VXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ	Disponibile6.462
CY7S1041G30-10VXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ	Disponibile3.780
CY7S1041G30-10ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile8.244
CY7S1041G30-10ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile5.256
CY7S1041GE30-10BVXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile10.812
CY7S1041GE30-10BVXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile6.858
CY7S1049G30-10VXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36SOIC Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile4.500
CY7S1049G30-10VXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile5.868
CY7S1049GE30-10VXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile7.110
CY7S1049GE30-10VXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ	Disponibile5.292
CY7S1061G18-15ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 15ns Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile3.276
CY7S1061G18-15ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 15ns Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile5.346
CY7S1061G30-10BVXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile12.072
CY7S1061G30-10BVXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)	Disponibile7.164
CY7S1061G30-10ZSXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile8.262
CY7S1061G30-10ZSXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile3.798

CY7C4041KV13-600FCXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 361FCBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV
Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 600MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.1V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)

Disponibile4.356

CY7C4042KV13-106FCXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 1066MHZ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV
Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1066MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)

Disponibile3.643

CY7C4042KV13-933FCXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 361FCBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV
Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)

Disponibile7.913

CY7C4121KV13-633FCXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV
Dimensione della memoria: 144Mb (8M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 633MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)

Disponibile430

CY7C4121KV13-667FCXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV
Dimensione della memoria: 144Mb (8M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)

Disponibile9.481

CY7C4122KV13-106FCXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV
Dimensione della memoria: 144Mb (8M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1066MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)

Disponibile1.163

CY7C4122KV13-933FCXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV
Dimensione della memoria: 144Mb (8M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)

Disponibile3.096

CY7C4141KV13-633FCXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV
Dimensione della memoria: 144Mb (4M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 633MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)

Disponibile4.699

CY7C4141KV13-667FCXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV
Dimensione della memoria: 144Mb (4M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)

Disponibile2.430

CY7C4142KV13-933FCXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR IV
Dimensione della memoria: 144Mb (4M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.26V ~ 1.34V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 361-BBGA, FCBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 361-FCBGA (21x21)

Disponibile792

CY7S1041G-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile6.084

CY7S1041G-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile3.906

CY7S1041G30-10BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile8.496

CY7S1041G30-10BVXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile4.086

CY7S1041G30-10VXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ

Disponibile6.462

CY7S1041G30-10VXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ

Disponibile3.780

CY7S1041G30-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile8.244

CY7S1041G30-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile5.256

CY7S1041GE30-10BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile10.812

CY7S1041GE30-10BVXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile6.858

CY7S1049G30-10VXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOIC

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile4.500

CY7S1049G30-10VXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile5.868

CY7S1049GE30-10VXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile7.110

CY7S1049GE30-10VXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-SOJ

Disponibile5.292

CY7S1061G18-15ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 15ns
Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile3.276

CY7S1061G18-15ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 15ns
Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile5.346

CY7S1061G30-10BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile12.072

CY7S1061G30-10BVXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)

Disponibile7.164

CY7S1061G30-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile8.262

CY7S1061G30-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile3.798

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