Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
CY7C1355C-100AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile5.490
CY7C1355C-100AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile2.520
CY7C1355C-100BGC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile2.052
CY7C1355C-100BGCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile6.336
CY7C1355C-133AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile8.964
CY7C1355C-133AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile5.652
CY7C1355C-133BGC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile7.722
CY7C1355C-133BGCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile4.896
CY7C1355C-133BGXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile5.724
CY7C1355S-133AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile4.860
CY7C1355S-133BGC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile6.642
CY7C1356C-166AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile100
CY7C1356C-166AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile3.942
CY7C1356C-166AXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile5.526
CY7C1356C-166AXIT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile7.002
CY7C1356C-166BGC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile8.442
CY7C1356C-250AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile5.400
CY7C1356C-250AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile7.218
CY7C1356CV25-166AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile6.066
CY7C1356CV25-166AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile2.106
CY7C1356CV25-200AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.2ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile5.688
CY7C1356CV25-200AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.2ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile6.336
CY7C1356S-166AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile3.204
CY7C1356S-166AXI Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile4.158
CY7C1356S-166BGC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile4.554
CY7C1356SV25-166AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile2.646
CY7C1356SV25-166AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile8.928
CY7C1356SV25-200AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.2ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile4.806
CY7C1357C-100AXC Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile2.124
CY7C1357C-100AXCT Cypress Semiconductor	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: Cypress Semiconductor Corp Serie: NoBL™ Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile8.766

CY7C1355C-100AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile5.490

CY7C1355C-100AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile2.520

CY7C1355C-100BGC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile2.052

CY7C1355C-100BGCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile6.336

CY7C1355C-133AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile8.964

CY7C1355C-133AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile5.652

CY7C1355C-133BGC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile7.722

CY7C1355C-133BGCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile4.896

CY7C1355C-133BGXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile5.724

CY7C1355S-133AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile4.860

CY7C1355S-133BGC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile6.642

CY7C1356C-166AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile100

CY7C1356C-166AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile3.942

CY7C1356C-166AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile5.526

CY7C1356C-166AXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile7.002

CY7C1356C-166BGC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile8.442

CY7C1356C-250AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile5.400

CY7C1356C-250AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile7.218

CY7C1356CV25-166AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile6.066

CY7C1356CV25-166AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile2.106

CY7C1356CV25-200AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.2ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile5.688

CY7C1356CV25-200AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.2ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile6.336

CY7C1356S-166AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile3.204

CY7C1356S-166AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile4.158

CY7C1356S-166BGC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile4.554

CY7C1356SV25-166AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile2.646

CY7C1356SV25-166AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile8.928

CY7C1356SV25-200AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.2ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile4.806

CY7C1357C-100AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile2.124

CY7C1357C-100AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: Cypress Semiconductor Corp
Serie: NoBL™
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile8.766

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