Circuiti integrati di memoria

CY7C1357C-100BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 100MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 7.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1357C-133AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 6.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1357C-133AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 6.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1357C-133AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 6.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1357C-133AXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 6.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1360A-150BGC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 150MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 119-BGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

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CY7C1360B-166BGC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 119-BGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

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CY7C1360C-166AJXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1360C-166AJXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1360C-166AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1360C-166AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1360C-166AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1360C-166AXIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1360C-166BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1360C-166BZI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1360C-200AJXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1360C-200AJXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1360C-200AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1360C-200AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1360C-200BGC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 119-BGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

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CY7C1360C-200BGCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 119-BGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

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CY7C1360S-166AJXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

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CY7C1360S-166AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

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CY7C1360S-166AXCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

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CY7C1360S-166AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 166MHZ

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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CY7C1360S-166BZC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1360S-166BZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1360S-200AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3ns
• Tensione - Alimentazione: 3.14V ~ 3.63V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

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CY7C1360S-200BGC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 119-BGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

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CY7C1360S-200BGCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: SRAM
• Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
• Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 3ns
• Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 119-BGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

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