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CY7C1355C-100BGCT

CY7C1355C-100BGCT

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1355C-100BGCT
PNEDA Part # CY7C1355C-100BGCT
Descrizione IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.336
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1355C-100BGCT Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1355C-100BGCT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1355C-100BGCT, CY7C1355C-100BGCT Datasheet (Totale pagine: 28, Dimensioni: 495,52 KB)
PDFCY7C1355C-133BGXC Datasheet Copertura
CY7C1355C-133BGXC Datasheet Pagina 2 CY7C1355C-133BGXC Datasheet Pagina 3 CY7C1355C-133BGXC Datasheet Pagina 4 CY7C1355C-133BGXC Datasheet Pagina 5 CY7C1355C-133BGXC Datasheet Pagina 6 CY7C1355C-133BGXC Datasheet Pagina 7 CY7C1355C-133BGXC Datasheet Pagina 8 CY7C1355C-133BGXC Datasheet Pagina 9 CY7C1355C-133BGXC Datasheet Pagina 10 CY7C1355C-133BGXC Datasheet Pagina 11

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CY7C1355C-100BGCT Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieNoBL™
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso7.5ns
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia119-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore119-PBGA (14x22)

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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