Circuiti integrati di memoria

CY14B104NA-ZS45XE

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.63V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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CY14B104NA-ZS45XET

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.63V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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CY14B104NA-ZS45XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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CY14B104NA-ZS45XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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CY14B104NA-ZSP25XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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CY14B104NA-ZSP25XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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CY14B104NA-ZSP45XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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CY14B104NA-ZSP45XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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CY14B104N-BA20XC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104N-BA20XCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104N-BA20XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104N-BA20XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104N-BA25XC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104N-BA25XCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104N-BA25XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104N-BA25XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104N-BA45XC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104N-BA45XCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104N-BA45XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104N-BA45XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104N-ZS20XC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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CY14B104N-ZS20XCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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CY14B104N-ZS25XC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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CY14B104N-ZS25XCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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CY14B104N-ZS25XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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CY14B104N-ZS25XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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CY14B104N-ZS45XC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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CY14B104N-ZS45XCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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CY14B104N-ZS45XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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CY14B104N-ZS45XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

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