Circuiti integrati di memoria

CY14B104L-ZS20XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104L-ZS20XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104L-ZS25XC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104L-ZS25XCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104L-ZS25XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104L-ZS25XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104L-ZS45XC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104L-ZS45XCT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104L-ZS45XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104L-ZS45XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104M-ZSP25XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104M-ZSP25XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104M-ZSP45XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104M-ZSP45XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104NA-BA20XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4MBIT 20NS 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104NA-BA20XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4MBIT 20NS 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104NA-BA25I

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104NA-BA25IT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104NA-BA25XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104NA-BA25XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104NA-BA45XE

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104NA-BA45XET

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104NA-BA45XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104NA-BA45XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
• Tempo di accesso: 45ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (6x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104NA-ZS20XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104NA-ZS20XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104NA-ZS25XE

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104NA-ZS25XET

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104NA-ZS25XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

CY14B104NA-ZS25XIT

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
• Tempo di accesso: 25ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello