CY14B104N-BA20XI
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| Numero parte | CY14B104N-BA20XI |
| PNEDA Part # | CY14B104N-BA20XI |
| Descrizione | IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.528 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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CY14B104N-BA20XI Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY14B104N-BA20XI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
CY14B104N-BA20XI, CY14B104N-BA20XI Datasheet
(Totale pagine: 25, Dimensioni: 791,82 KB)
  
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CY14B104N-BA20XI Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 20ns |
| Tempo di accesso | 20ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-FBGA (6x10) |
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