Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
ESH2PCHM3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.742
ESH2PC-M3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.272
ESH2PC-M3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.838
ESH2PD-E3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.974
ESH2PD-E3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.642
ESH2PDHE3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.894
ESH2PDHE3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.950
ESH2PDHM3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.642
ESH2PDHM3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.336
ESH2PD-M3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.220
ESH2PD-M3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.488
ESH3B-E3/57T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.982
ESH3B-E3/9AT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.614
ESH3BHE3/57T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.484
ESH3BHE3/9AT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.364
ESH3BHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.588
ESH3BHE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.464
ESH3B-M3/57T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.718
ESH3B-M3/9AT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.176
ESH3B M6G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.832
ESH3B R7G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.196
ESH3B V6G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.510
ESH3B V7G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.680
ESH3C-E3/57T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.682
ESH3C-E3/9AT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.592
ESH3CHE3/57T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.700
ESH3CHE3/9AT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.202
ESH3CHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.982
ESH3CHE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.698
ESH3C-M3/57T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.502

ESH2PCHM3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.742

ESH2PC-M3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.272

ESH2PC-M3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.838

ESH2PD-E3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.974

ESH2PD-E3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.642

ESH2PDHE3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.894

ESH2PDHE3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.950

ESH2PDHM3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.642

ESH2PDHM3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.336

ESH2PD-M3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.220

ESH2PD-M3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.488

ESH3B-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.982

ESH3B-E3/9AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.614

ESH3BHE3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.484

ESH3BHE3/9AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.364

ESH3BHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.588

ESH3BHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.464

ESH3B-M3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.718

ESH3B-M3/9AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.176

ESH3B M6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.832

ESH3B R7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.196

ESH3B V6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.510

ESH3B V7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.680

ESH3C-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.682

ESH3C-E3/9AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.592

ESH3CHE3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.700

ESH3CHE3/9AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.202

ESH3CHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.982

ESH3CHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.698

ESH3C-M3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 40ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.502

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