Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
ESH2CHE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.066
ESH2C-M3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.976
ESH2C-M3/5BT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.064
ESH2C M4G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.022
ESH2C R5G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.722
ESH2DA M2G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.750
ESH2DA R3G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.284
ESH2D-E3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile23.628
ESH2D-E3/5BT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile30.402
ESH2DHE3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.930
ESH2DHE3/5BT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.022
ESH2DHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile51.270
ESH2DHE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.518
ESH2D-M3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.024
ESH2D-M3/5BT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.214
ESH2D M4G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.982
ESH2D R5G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile21.048
ESH2PB-E3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.586
ESH2PB-E3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.654
ESH2PBHE3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.220
ESH2PBHE3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.076
ESH2PBHM3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.204
ESH2PBHM3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.562
ESH2PB-M3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile24.606
ESH2PB-M3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.976
ESH2PC-E3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.112
ESH2PC-E3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.580
ESH2PCHE3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.770
ESH2PCHE3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.402
ESH2PCHM3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.262

ESH2CHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.066

ESH2C-M3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.976

ESH2C-M3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.064

ESH2C M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.022

ESH2C R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.722

ESH2DA M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.750

ESH2DA R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.284

ESH2D-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile23.628

ESH2D-E3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile30.402

ESH2DHE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.930

ESH2DHE3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.022

ESH2DHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile51.270

ESH2DHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.518

ESH2D-M3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.024

ESH2D-M3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.214

ESH2D M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.982

ESH2D R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile21.048

ESH2PB-E3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.586

ESH2PB-E3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.654

ESH2PBHE3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.220

ESH2PBHE3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.076

ESH2PBHM3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.204

ESH2PBHM3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.562

ESH2PB-M3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile24.606

ESH2PB-M3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.976

ESH2PC-E3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.112

ESH2PC-E3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.580

ESH2PCHE3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.770

ESH2PCHE3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.402

ESH2PCHM3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.262

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